三菱電機がトレンチ型SiC-MOSFETチップのサンプル提供を開始

三菱電機株式会社は、2026年1月21日にトレンチ型SiC-MOSFETチップのサンプル提供を開始します。この新製品は、EVのトラクションインバーターや太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなど、さまざまなパワーエレクトロニクス機器への組み込みニーズに対応し、低消費電力化と性能維持に貢献します。

近年、脱炭素社会の実現に向けて、パワーエレクトロニクス機器の市場拡大が見込まれています。EVのトラクションインバーターや太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどのパワーエレクトロニクス機器は、性能や品質の向上に向けさまざまな仕様が増えており、それに伴い機器に使用されるパワー半導体を、チップとして組み込む要望が増えています。

当社は、電力損失の大幅な低減が可能なSiCパワー半導体モジュールを2010年に製品化して以来、エアコンや産業用機器、鉄道車両のインバーターシステムに採用され、家電や産業用機器、鉄道車両の低消費電力化に貢献してきました。

今回、さまざまなパワーエレクトロニクス機器へのパワー半導体チップの組み込みニーズに対応するため、新たに、パワー半導体「トレンチ型SiC-MOSFETチップ」をラインアップします。新製品は、既存のトレンチ型SiC-MOSFETチップと同様の独自構造を採用し、プレーナー型SiC-MOSFETと比較して電力損失を約50％低減することに加えて、当社独自のゲート酸化膜製法などの製造プロセス技術により、電力損失やオン抵抗などの変動を抑制し長期間使用時における品質の安定性を実現します。

これらの技術を適用した仕様の異なる4品種のパワー半導体チップをラインアップすることで、EVのトラクションインバーターやオンボードチャージャー、太陽光発電などの再生可能エネルギー用電源システムなどさまざまなパワーエレクトロニクス機器などへの組み込みが可能となり、機器の低消費電力と性能維持に貢献します。

なお、本製品は「第40回ネプコンジャパン エレクトロニクス開発・実装展」（1月21日～23日、於：東京ビッグサイト）をはじめ、北米、欧州、中国、インド等で開催される展示会へ出展予定です。